Two Transistor Thin Oxide Cell
Это двухтранзисторная ячейка с деликатным слоем окисла. Второй транзистор разрешает отделаться от множества изъянов, свойственных однотранзисторным ячейкам. Второй транзистор (рис. 3) применяется для изоляции ячейки от битовой линии. Что ж, чрезмерные притязании к производственному процессу и занимаемому ячейкой месту компенсируются исчезновением задач, связанных с лишним удалением, как скоро 1 ячейка блокирует работу всех оставшихся на совместной битовой линии. Напряжения стирания и программирования некоторое количество снижены за счет формирования не очень большой зоны наиболее деликатного слоя окиси кремния (8,5 нм). Ток программирования достигает всего 10 pA -- значительный шаг вперед по сравнению с вышеописанным типом ячейки (1 mA). В данном нет ничего поразительного -- в двухтранзисторной ячейке все операции с плавающим затвором базируются на результате туннелирования. Чтобы запрограммировать ячейку, отрицательное высокое напряжение сервируется на управляющий затвор (электроны туннелируют на плавающий затвор), а дабы стереть -- полезное сервируется на сток (электроны туннелируют с плавающего затвора на сток).Экономия в двухтранзисторной конфигурации достигается за счет совместной линии слов: ячейки, принадлежащие одной линии, образуют страницу. Благодаря такой внутренней организации реализуется операция постраничной записи и чтения. Далее, не взирая на то, что на картинках два транзистора смотрятся одними и теми же по объему, на самом деле данное далеко не так. Размеры запоминающего транзистора диктуются потребностью накопления на его плавающем затворе заряда важной величины. В то ведь время объемы добавочного, изолирующего, транзистора урезаны исключительно разрешением подобранной технологии производства.
Вкусные обедыкафе Киев описания и отзывы
