SST Cell
Если предыдущие варианты реализации ячеек памяти EEPROM возымели названия сообразно собственной физической сущности, то фамилия SST считается не нежели другим, как аббревиатурой от Silicon сторидж Technology. Технология была придумана в данной фирмы, и она по праву приняла решение увековечить себя хотя бы в наименовании ячейки.В сравнении с вышеописанными приспособлениями SST Cell смотрится наиболее изящно (рис. 4). Как обыкновенно, ячейки объединены вдоль линий слов (страницы) и линий бит (секторы). Ячейки, соединенные управляющими базами, образуют слова, ячейки, соединенные стоками, -- битовые линии. Пару слов (четные и нечетные биты), связанные совокупным истоком, именуют страницей, коия удаляется как общий составляющее. Страничная организация частично снимает вопрос перекрестного влияния операций удаления и программирования, сдерживая данный результат пределами одной страницы.
Процесс удаления заключается в снятии с плавающего затвора негативного заряда за счет результата туннелирования Фаулера--Нордхейма меж управляющей и плавающей базами. Во время удаления к управляющей базе (линия слова) прикладывается высокое напряжение (15 В), в то время как исток и сток ячейки заземляются. За счет выгнутой области у края плавающей базы возникнут очень подходящие условия для туннелирования. Под действием крепкого электрического поля электроны, составлявшие негативный заряд плавающего затвора, переносятся через изящный слой диэлектрика-оксида на управляющую базу. В конце концов, на "истощенном" плавающем затворе складывается лестный заряд. Как заметно из схемы ячейки, в последствии испoлнeния операции удаления при подаче тестового напряжения на управляющий затвор (VREF) и 2 В на сток меж стоком и истоком станет проходить ток, потому что плавающая база делает дополнительное, полезное поле, дополняющее "канал" управляющего затвора.
При программировании встает обратная миссия -- нужно сообщить плавающей базе негативный заряд, собственным полем преграждающий путь электронам от истока к стоку. Как и обыкновенно, тут используется результат страстных электронов. Сток заземляется, а к истоку прикладывают напряжение 12 В; на управляющий затвор сервируется напряжение VT, которое открывает часть канала составного транзистора вплоть до области, контролируемой плавающей базой. Высокое напряжение и сильное электрическое поле, образующееся меж истоком и стоком, генерят так именуемые жаркие тепловые электроны, обладающие высокой энергией, необходимой, дабы одолеть барьер 3,2 эВ, создаваемый оксидным изолирующим слоем, и присоединиться к заряду плавающей базы. Процесс останавливается натуральным путем, как скоро емкость плавающей базы исчерпывается.
SST-память считается безоговорочным лидером по совокупности полезных свойств. Процесс производства ее несложен -- 14 масочных слоев против 19 или же 21, необходимых для одно- и двухтранзисторных ячеек. Толстый слой окиси (40 нм) сокращает возможность происхождения утечки электронов. Страничная организация сокращаяет результат взаимовлияния при программировании и стирании. Поскольку канал управляется плавающим затвором только частично, о такой малоприятной вещи, как излишнее стирание, возможно позабыть. Более того, особенная форма плавающего затвора сокращает притязании к напряжению программирования и стирания, а помимо прочего увеличивает скорость испoлнeния этих операций.
Вкусные обедыкафе Киев описания и отзывы
