О будущем

Типы flash-памяти, 1 из коих не так давно придумала корпорация Intel -- StrataFlash. За счет технологии multilevel cell (MLC), аналога ML-ROM, она разрешает в любой ячейке сохранять 2 бита информации. Это достигается тем, что StrataFlash оперирует 4 уровнями заряда, кодирующими 2 бита. Уровень заряда характеризует напряжение, которое нужно приложить к управляющему затвору, дабы открыть транзистор. Забавно, хотя в этом случае технология повторяет уже пройденный путь: когда-либо в минувшем некие автоответчики снабжались flash-памятью, позволявшей при не очень большом размере записывать аудиофрагменты солидной длительности. Магия, добродетельная Гарри Поттера, на поверку оказалась обычным фокусом: в ячейки записывался аналоговый, т. е., выражаясь популярными ныне терминами, многоуровневый сигнал.

Intel 1, хотя не единственный инвестор на рынке MLC. Вслед за корпорацией-первопроходцем технологию начали осваивать STMicroelectronics, SanDisk, Hynix, Samsung, Sharp и Toshiba. Помимо вышеперечисленных фирм, нужно припоминать о альянсе AMD (одного из основных генпоставщиков flash-памяти) и Fujitsu, коий сулит скорое выход в свет альтернативы MLC для чипов NAND-типа (разработками занимается венчурная компания FASL). Методика называется Mirror Bit и в корне выделяется от многоуровневой ячейки Intel. В этом случае речь идет на самом деле о 2 по отдельности хранящихся битах. Еще 1 мультибитовая технология считается плодом усилий фирмы Saifun -- Nitrided ROM (NROM). Методика разрешает не исключительно сохранять по 2 бита в одной ячейке, хотя и упрощает процесс производства микросхем. В исследованию принимут участие Infineon и Hynix. Первый анонсированный чип станет иметь емкость 512 Mb.
Вкусные обедыкафе Киев описания и отзывы
Powered by Rumba CMS